제조업체 제품 번호:
SPB35N10 G
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
SPB35N10 G-DG
설명:
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
상세 설명:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
재고:
12806524
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제출
SPB35N10 G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
SIPMOS®
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
100 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
35A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
44mOhm @ 26.4A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 83µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
1570 pF @ 25 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
150W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
SPB35N
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP000102172
SPB35N10GXT
SPB35N10 G-DG
SPB35N10G
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STB30NF10T4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
971
부품 번호
STB30NF10T4-DG
단가
0.66
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
IRF540NSTRLPBF
제조사
Infineon Technologies
구매 가능 수량
7309
부품 번호
IRF540NSTRLPBF-DG
단가
0.52
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
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